Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> RN2101F

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RN2101F: 产品描述Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小548KB，共8页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2101F概述

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

RN2101F规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	30
JESD-30 代码	R-PDSO-F3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.1 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
Base Number Matches	1

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RN2101∼RN2106

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2101, RN2102, RN2103,

RN2104, RN2105, RN2106

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Built-in bias resistors

Simplified circuit design

Fewer parts and simplified manufacturing process

Complementary to RN1101~RN1106

Unit: mm

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

RN2101

RN2102

RN2103

RN2104

RN2105

RN2106

R1 (kΩ)

4.7

2.2

4.7

R2 (kΩ)

4.7

JEDEC

―

JEITA

―

TOSHIBA

2-2H1A

Weight: 2.4 mg (typ.)

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2101~2106

RN2101~2104

RN2105, 2106

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

−50

−10

−5

−100

100

150

−55~150

Unit

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

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