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V917466B28QAFW-E4

产品描述DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小115KB,共17页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准  
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V917466B28QAFW-E4概述

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

V917466B28QAFW-E4规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码MODULE
包装说明ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N200
JESD-609代码e4
内存密度4294967296 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织64MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子面层Gold (Au)
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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