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UT2311L-AE3-R

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小193KB,共4页
制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
官网地址http://www.unisonic.com.tw/
标准
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UT2311L-AE3-R概述

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 20V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE PACKAGE-3

UT2311L-AE3-R规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻0.055 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
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