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IDT7M812S55CB

产品描述SRAM Module, 64KX8, 55ns, CMOS
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文件大小167KB,共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M812S55CB概述

SRAM Module, 64KX8, 55ns, CMOS

IDT7M812S55CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XDMA-T40
JESD-609代码e0
内存密度524288 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIP
封装等效代码DIP40,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.16 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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