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IDT7MPV4145S15M

产品描述SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS
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文件大小139KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MPV4145S15M概述

SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS

IDT7MPV4145S15M规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间15 ns
其他特性USER SELECTABLE AS 256K X 32
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N72
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度32
湿度敏感等级1
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX32
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度16.764 mm
最大待机电流0.08 A
最小待机电流3 V
最大压摆率1.2 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT7MPV4145S15M相似产品对比

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描述 SRAM Module, 256KX32, 15ns, CMOS SRAM Module, 256KX32, 12ns, CMOS SRAM Module, 128KX32, 12ns, CMOS SRAM Module, 128KX32, 15ns, CMOS SRAM Module, 128KX32, 20ns, CMOS SRAM Module, 256KX32, 20ns, CMOS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 15 ns 12 ns 12 ns 15 ns 20 ns 20 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XZMA-N72 R-XZMA-N72 R-XZMA-N72 R-XZMA-N72 R-XZMA-N72 R-XZMA-N72
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 8388608 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 32 32 32 32 32 32
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 72 72 72 72 72 72
字数 262144 words 262144 words 131072 words 131072 words 131072 words 262144 words
字数代码 256000 256000 128000 128000 128000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX32 256KX32 128KX32 128KX32 128KX32 256KX32
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM SIMM
封装等效代码 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72 SSIM72
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225 225 225 225
电源 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 16.764 mm 16.764 mm 16.764 mm 16.764 mm 16.764 mm 16.764 mm
最大待机电流 0.08 A 0.08 A 0.04 A 0.04 A 0.04 A 0.08 A
最小待机电流 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
最大压摆率 1.2 mA 1.2 mA 0.6 mA 0.6 mA 0.6 mA 1.2 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
其他特性 USER SELECTABLE AS 256K X 32 USER SELECTABLE AS 256K X 32 USER SELECTABLE AS 128K X 32 USER SELECTABLE AS 128K X 32 - -
湿度敏感等级 1 - - 1 1 1
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