Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | compliant |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.3 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.8 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
SI7904DN | SI7904DN-E3 | |
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描述 | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | TRANSISTOR 5.3 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power |
是否Rohs认证 | 不符合 | 符合 |
厂商名称 | Vishay(威世) | Vishay(威世) |
Reach Compliance Code | compliant | unknown |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 5.3 A | 5.3 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码 | e0 | e3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 2.8 W | 2.8 W |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Matte Tin (Sn) |
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