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SI7904DN

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB,共4页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7904DN概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

SI7904DN规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay(威世)
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
最大漏极电流 (Abs) (ID)5.3 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.8 W
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)

SI7904DN相似产品对比

SI7904DN SI7904DN-E3
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TRANSISTOR 5.3 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 1212-8, POWERPAK-8, FET General Purpose Power
是否Rohs认证 不符合 符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code compliant unknown
最大漏极电流 (Abs) (ID) 5.3 A 5.3 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.8 W 2.8 W
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Matte Tin (Sn)
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