M53230804CY0-C50,M53230804CY0-C50 pdf中文资料,M53230804CY0-C50引脚图,M53230804CY0-C50电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> M53230804CY0-C50

M53230804CY0-C50: 产品描述EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72; 产品类别存储存储; 文件大小431KB，共21页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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M53230804CY0-C50概述

EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72

M53230804CY0-C50规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	SIMM
包装说明	SIMM, SSIM72
针数	72
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	72
字数	8388608 words
字数代码	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8MX32
输出特性	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM
封装等效代码	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	4096
自我刷新	NO
最大待机电流	0.004 A
最大压摆率	0.244 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	1.27 mm
端子位置	SINGLE

M53230804CY0-C50相似产品对比

	M53230804CY0-C50	M53230804CT0-C60	M53230804CY0-C60	M53230804CT0-C50
描述	EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	EDO DRAM Module, 8MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
包装说明	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72	SIMM, SSIM72
针数	72	72	72	72
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间	50 ns	60 ns	60 ns	50 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72	R-XSMA-N72
内存密度	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit	268435456 bit
内存集成电路类型	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE	EDO DRAM MODULE
内存宽度	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	72	72	72	72
字数	8388608 words	8388608 words	8388608 words	8388608 words
字数代码	8000000	8000000	8000000	8000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8MX32	8MX32	8MX32	8MX32
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	SIMM	SIMM	SIMM	SIMM
封装等效代码	SSIM72	SSIM72	SSIM72	SSIM72
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096
自我刷新	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.004 A	0.004 A	0.004 A	0.004 A
最大压摆率	0.244 mA	0.224 mA	0.224 mA	0.244 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE

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