KMM383L3313BT-GZ,KMM383L3313BT-GZ pdf中文资料,KMM383L3313BT-GZ引脚图,KMM383L3313BT-GZ电路-Datasheet-电子工程世界

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KMM383L3313BT-GZ: 产品描述DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184; 产品类别存储存储; 文件大小170KB，共12页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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KMM383L3313BT-GZ概述

DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

KMM383L3313BT-GZ规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM
包装说明	,
针数	184
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184
内存密度	2415919104 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	184
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD
端子位置	DUAL

KMM383L3313BT-GZ相似产品对比

	KMM383L3313BT-GZ	KMM383L3313BT-F0	KMM383L3313BT-FY	KMM383L3313BT-FZ	KMM383L3313BT-GY	KMM383L3313BT-G0
描述	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.8ns, CMOS, DIMM-184
零件包装代码	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
针数	184	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.8 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.8 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	2415919104 bit	2415919104 bit	2415919104 bit	2415919104 bit	2415919104 bit	2415919104 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	72	72	72	72
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	184	184	184	184
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX72	32MX72	32MX72	32MX72	32MX72	32MX72
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
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表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)

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