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HN1C01FU-GR

产品描述Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小232KB,共4页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1C01FU-GR概述

Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications

HN1C01FU-GR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大集电极电流 (IC)0.15 A
基于收集器的最大容量3.5 pF
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量6
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.2 W
最大功率耗散 (Abs)0.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz
VCEsat-Max0.25 V
Base Number Matches1

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HN1C01F
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
HN1C01F
Audio-Frequency General-Purpose Amplifier Applications
Small package (dual type)
High voltage and high current
: V
CEO
= 50 V, I
C
= 150 mA (max)
High h
FE
: h
FE
= 120~400
Excellent h
FE
linearity
: h
FE
(I
C
= 0.1 mA) / h
FE
(I
C
= 2 mA) = 0.95 (typ.)
Unit: mm
(Q1, Q2 Common)
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Characteristic
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Base current
Collector power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
B
P
C
*
T
j
T
stg
Rating
60
50
5
150
30
300
125
−55~125
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
TOSHIBA
2-3N1A
Weight: 0.015 g (typ.)
Note:
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum
ratings.
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test
report and estimated failure rate, etc).
* Total rating
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)
Characteristic
Collector cut-off current
Emitter cut-off current
DC current gain
Collector-emitter
saturation voltage
Transition frequency
Collector output capacitance
Symbol
I
CBO
I
EBO
h
FE (Note)
V
CE (sat)
f
T
C
ob
Test
Circuit
Test Condition
V
CB
= 60 V, I
E
= 0
V
EB
= 5 V, I
C
= 0
V
CE
= 6 V, I
C
= 2 mA
I
C
= 100 mA, I
B
= 10 mA
V
CE
= 10 V, I
C
= 1 mA
V
CB
= 10 V, I
E
= 0, f = 1 MHz
Min
120
80
Typ.
0.1
2
Max
0.1
0.1
400
0.25
3.5
V
MHz
pF
Unit
μA
μA
Note: h
FE
Classification
Y (Y): 120~240, GR (G): 200~400
( ) Marking symbol
1
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