EDI8F16256C25M9C,EDI8F16256C25M9C pdf中文资料,EDI8F16256C25M9C引脚图,EDI8F16256C25M9C电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> EDI8F16256C25M9C

EDI8F16256C25M9C: 产品描述SRAM Module, 1MX4, 25ns, CMOS,; 产品类别存储存储; 文件大小272KB，共6页; 制造商EDI [Electronic devices inc.]

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EDI8F16256C25M9C概述

SRAM Module, 1MX4, 25ns, CMOS,

EDI8F16256C25M9C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	25 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 256K X 16
备用内存宽度	8
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-T48
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	48
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP48,.9
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.01 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.5 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

EDI8F16256C25M9C相似产品对比

	EDI8F16256C25M9C	EDI8F16256C35M9I	EDI8F16256C20M9C	EDI8F16256C35M9C	EDI8F16256C25M9I	EDI8F16256C20M9I
描述	SRAM Module, 1MX4, 25ns, CMOS,	SRAM Module, 1MX4, 35ns, CMOS,	SRAM Module, 1MX4, 20ns, CMOS,	SRAM Module, 1MX4, 35ns, CMOS,	SRAM Module, 1MX4, 25ns, CMOS,	SRAM Module, 1MX4, 20ns, CMOS,
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	25 ns	35 ns	20 ns	35 ns	25 ns	20 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 256K X 16	CONFIGURABLE AS 256K X 16	CONFIGURABLE AS 256K X 16	CONFIGURABLE AS 256K X 16	CONFIGURABLE AS 256K X 16	CONFIGURABLE AS 256K X 16
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8
JESD-30 代码	R-XDMA-T48	R-XDMA-T48	R-XDMA-T48	R-XDMA-T48	R-XDMA-T48	R-XDMA-T48
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	4	4	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	48	48	48	48	48	48
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C
组织	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	NO	NO	NO	NO	NO	NO
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
厂商名称	EDI [Electronic devices inc.]	-	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]	EDI [Electronic devices inc.]

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