BR24G16NUX-3AGTTR,BR24G16NUX-3AGTTR pdf中文资料,BR24G16NUX-3AGTTR引脚图,BR24G16NUX-3AGTTR电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> BR24G16NUX-3AGTTR

BR24G16NUX-3AGTTR: 产品描述EEPROM; 产品类别存储存储; 文件大小542KB，共20页; 制造商ROHM(罗姆半导体); 官网地址https://www.rohm.com/

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BR24G16NUX-3AGTTR概述

EEPROM

BR24G16NUX-3AGTTR规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)
包装说明	HVSON,
Reach Compliance Code	compliant
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-N8
长度	3 mm
内存密度	16384 bit
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	8
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	2KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL
座面最大高度	0.6 mm
串行总线类型	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
宽度	2 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms

BR24G16NUX-3AGTTR相似产品对比

	BR24G16NUX-3AGTTR	BR24G16FV-3AGTE2	BR24G16-3AGT	BR24G16FVT-3AGTE2	BR24G64-3AGT	BR24G02FVT-3AGTE2	BR24G08FVT-3AGTE2
描述	EEPROM	EEPROM	EEPROM, 2KX8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8	EEPROM	EEPROM, 8KX8, Serial, CMOS, PDIP8, DIP-8	EEPROM	EEPROM
厂商名称	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)	ROHM(罗姆半导体)
包装说明	HVSON,	LSSOP,	DIP,	TSSOP,	DIP-8	TSSOP,	TSSOP,
Reach Compliance Code	compliant	unknown	compliant	compliant	compliant	compliant	compli
最大时钟频率 (fCLK)	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz	1 MHz
JESD-30 代码	R-PDSO-N8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
长度	3 mm	4.4 mm	9.3 mm	4.4 mm	9.3 mm	4.4 mm	4.4 mm
内存密度	16384 bit	16384 bit	16384 bit	16384 bit	65536 bit	2048 bit	8192 bi
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words	8192 words	256 words	1024 words
字数代码	2000	2000	2000	2000	8000	256	1000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	2KX8	2KX8	2KX8	2KX8	8KX8	256X8	1KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	HVSON	LSSOP	DIP	TSSOP	DIP	TSSOP	TSSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	IN-LINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
座面最大高度	0.6 mm	1.35 mm	4.21 mm	1.2 mm	4.21 mm	1.2 mm	1.2 mm
串行总线类型	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V	1.7 V
表面贴装	YES	YES	NO	YES	NO	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	NO LEAD	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.65 mm	2.54 mm	0.65 mm	2.54 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	2 mm	3 mm	7.62 mm	3 mm	7.62 mm	3 mm	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V

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