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BR24T16NUX-WE2

产品描述EEPROM,
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文件大小4MB,共39页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
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BR24T16NUX-WE2概述

EEPROM,

BR24T16NUX-WE2规格参数

参数名称属性值
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明HVSON,
Reach Compliance Codecompliant
最大时钟频率 (fCLK)0.4 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-N8
长度3 mm
内存密度16384 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数2048 words
字数代码2000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行SERIAL
座面最大高度0.6 mm
串行总线类型I2C
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.6 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
宽度2 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms

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Datasheet
Serial EEPROM Series Standard EEPROM
I
2
C BUS EEPROM (2-Wire)
BR24T16-W
General Description
BR24T16-W is a serial EEPROM of I
2
C BUS Interface Method
Features
Completely conforming to the world standard I
2
C
BUS.
All controls available by 2 ports of serial clock
(SCL) and serial data (SDA)
Other devices than EEPROM can be connected to
the same port, saving microcontroller port
1.6V to 5.5V Single Power Source Operation most
suitable for battery use
1.6V to 5.5V wide limit of operating voltage, possible
FAST MODE 400KHz operation
Page Write Mode useful for initial value write at
factory shipment
Self-timed Programming Cycle
Low Current Consumption
Prevention of Write Mistake
WP (Write Protect) Function added
Prevention of Write Mistake at Low Voltage
More than 1 million write cycles
More than 40 years data retention
Noise filter built in SCL / SDA terminal
Initial delivery state FFh
Packages
W(Typ) x D(Typ) x H(Max)
DIP-T8
9.30mm x 6.50mm x 7.10mm
DIP8K
9.27mm x 6.35mm x 8.63mm
SOP8
5.00mm x 6.20mm x 1.71mm
TSSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.20mm
SOP-J8
4.90mm x 6.00mm x 1.65mm
TSSOP-B8J
3.00mm x 4.90mm x 1.10mm
SOP-J8A
4.90mm x 6.00mm x 1.75mm
MSOP8
2.90mm x 4.00mm x 0.90mm
SSOP-B8
3.00mm x 6.40mm x 1.35mm
VSON008X2030
2.00mm x 3.00mm x 0.60mm
BR24T16-W
Capacity
Bit Format
Type
BR24T16-W
BR24T16-WZ
BR24T16F-W
BR24T16FJ-W
BR24T16FJ-WSGN
16Kbit
2K×8
BR24T16FV-W
BR24T16FVT-W
BR24T16FVJ-W
BR24T16FVM-W
BR24T16NUX-W
(1) Not Recommended for New Designs. Recommend BR24T16-WZ.
Figure 1.
Power Source
Voltage
Package
DIP-T8
(1)
DIP8K
SOP8
SOP-J8
SOP-J8A
1.6V to 5.5V
SSOP-B8
TSSOP-B8
TSSOP-B8J
MSOP8
VSON008X2030
〇Product
structure : Silicon monolithic integrated circuit
〇This
product has no designed protection against radioactive rays
www.rohm.com
TSZ02201-0R2R0G100110-1-2
©2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/36
TSZ22111 • 14 • 001
20.Dec.2018 Rev.007

BR24T16NUX-WE2相似产品对比

BR24T16NUX-WE2 BR24T16FVM-WE2
描述 EEPROM, EEPROM,
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 HVSON, VSSOP,
Reach Compliance Code compliant compliant
最大时钟频率 (fCLK) 0.4 MHz 0.4 MHz
JESD-30 代码 R-PDSO-N8 R-PDSO-G8
长度 3 mm 2.9 mm
内存密度 16384 bit 16384 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 8 8
字数 2048 words 2048 words
字数代码 2000 2000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 2KX8 2KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON VSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行 SERIAL SERIAL
座面最大高度 0.6 mm 0.9 mm
串行总线类型 I2C I2C
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 1.6 V 1.6 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子形式 NO LEAD GULL WING
端子节距 0.6 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 2 mm 2.8 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms

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