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MR18R1626MN0-CK7

产品描述Rambus DRAM Module, 96MX18, 45ns, CMOS, RIMM-184
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文件大小387KB,共14页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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MR18R1626MN0-CK7概述

Rambus DRAM Module, 96MX18, 45ns, CMOS, RIMM-184

MR18R1626MN0-CK7规格参数

参数名称属性值
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码DMA
包装说明DIMM, DIMM184,40
针数184
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式BLOCK ORIENTED PROTOCOL
最长访问时间45 ns
其他特性SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)711 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N184
内存密度1811939328 bit
内存集成电路类型RAMBUS DRAM MODULE
内存宽度18
功能数量1
端口数量1
端子数量184
字数100663296 words
字数代码96000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织96MX18
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM184,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.8/2.5,2.5 V
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.63 V
最小供电电压 (Vsup)2.37 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL

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MR16R1624(6/8/C/G)MN0
MR18R1624(6/8/C/G)MN0
Change History
Version 0.9 (January 2000)
- Preliminary
* First copy.
* Based on the 1.02ver 128/144Mbit RDRAMs base RIMM Datasheet
Version 1.0 (October 2000)
- Preliminary
* Based on the 1.0ver Rambus 256/288Mb RDRAMs base RIMM datasheet
Page No.
Change Description
1
6
7
8
9
- Add the x16 RDRAM product
- Correct V
CMOS
to V
DD
& Add V
SPD
condition
- Add the current values for RIMM Module
- Relax the RIMM CMOS delta tPD spec. from
±100ps
to
±250ps
- Add delta tPD spec for SCK-CMD of
±200ps
- Relax tPD as follows
16d
OLD
(-800 & -711MHz/-600MHz)
8d
1.50 / 1.60ns
1.56ns
4d
1.25ns
1.28ns
2.06 / 2.10ns
2.11ns
NEW
(-800,-711&-600MHz)
- Correct 600MHz RIMM attenuation spec
16d
OLD
NEW
21%
18.5%
12d
18%
15.5%
8d
10%
12.5%
6d
9%
11.5%
4d
8%
10.5%
10
11
12
- Revise the PCB height from 1250mil interrim solution to "1,375"mil
- Revise the "Physical Dimension-2" for heat spreader
- Correct T-point from 0.15±0.10mm to 0.30±0.10mm
Version 1.0a (November 2000)
7
- Change I
DD1
and I
DD4
parameters
Page 0
Version 1.0a Nov. 2000
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