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V54C3256164VDUJ8PC: 产品描述Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, MO-210, FBGA-60; 产品类别存储存储; 文件大小729KB，共56页; 制造商ProMOS Technologies Inc; 标准

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V54C3256164VDUJ8PC概述

Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, LEAD FREE, MO-210, FBGA-60

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ProMOS Technologies Inc
零件包装代码	BGA
包装说明	TFBGA, BGA60,8X15,32
针数	60
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	125 MHz
I/O 类型	COMMON
交错的突发长度	1,2,4,8
JESD-30 代码	R-PBGA-B60
长度	13 mm
内存密度	268435456 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	16
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	60
字数	16777216 words
字数代码	16000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	16MX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TFBGA
封装等效代码	BGA60,8X15,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	3.3 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	8192
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
连续突发长度	1,2,4,8,FP
最大待机电流	0.001 A
最大压摆率	0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8 mm

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