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V59C1G01404QAUF25

产品描述DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68
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文件大小1MB,共79页
制造商ProMOS Technologies Inc
标准  
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V59C1G01404QAUF25概述

DDR DRAM, 256MX4, CMOS, PBGA68, ROHS COMPLIANT, FBGA-68

V59C1G01404QAUF25规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ProMOS Technologies Inc
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B68
长度17 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量68
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度9 mm
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