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QS8768-25VB

产品描述Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, PDSO20,
产品类别存储    存储   
文件大小150KB,共8页
制造商Quality Semiconductor Inc
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QS8768-25VB概述

Cache Tag SRAM, 4KX4, 25ns, CMOS, PDSO20,

QS8768-25VB规格参数

参数名称属性值
厂商名称Quality Semiconductor Inc
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间25 ns
JESD-30 代码R-PDSO-J20
内存密度16384 bit
内存集成电路类型CACHE TAG SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4096 words
字数代码4000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织4KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式J BEND
端子位置DUAL
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