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ST303C10CEK1P

产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, EPUK-3
产品类别模拟混合信号IC    触发装置   
文件大小310KB,共10页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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ST303C10CEK1P概述

Silicon Controlled Rectifier, 1180A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-200AB, ROHS COMPLIANT, CERAMIC, EPUK-3

ST303C10CEK1P规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码BUTTON
包装说明DISK BUTTON, O-CXDB-X3
针数2
Reach Compliance Codecompliant
其他特性HIGH SPEED
外壳连接ISOLATED
标称电路换相断开时间20 µs
配置SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率500 V/us
最大直流栅极触发电流200 mA
最大直流栅极触发电压3 V
最大维持电流600 mA
JEDEC-95代码TO-200AB
JESD-30 代码O-CXDB-X3
最大漏电流50 mA
通态非重复峰值电流8320 A
元件数量1
端子数量3
最大通态电流620000 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大均方根通态电流1180 A
断态重复峰值电压1000 V
重复峰值反向电压1000 V
表面贴装YES
端子面层Nickel (Ni)
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
触发设备类型SCR
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