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HB56H132SB-5N

产品描述EDO DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, SIP-72
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文件大小348KB,共26页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HB56H132SB-5N概述

EDO DRAM Module, 1MX32, 50ns, CMOS, SIP-72

HB56H132SB-5N规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
零件包装代码MODULE
包装说明SIMM, SSIM72
针数72
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XSMA-N72
内存密度33554432 bit
内存集成电路类型EDO DRAM MODULE
内存宽度32
功能数量1
端口数量1
端子数量72
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX32
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码SIMM
封装等效代码SSIM72
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
座面最大高度25.4 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.002 A
最大压摆率0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置SINGLE

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HB56H232 Series, HB56H132 Series
2,097,152-word
×
32-bit High Density Dynamic RAM Module
1,048,576-word
×
32-bit High Density Dynamic RAM Module
ADE-203-700B (Z)
Rev.2.0
May. 16, 1997
Description
The HB56H232 is a 2M
×
32 dynamic RAM module, mounted 4 pieces of 16-Mbit DRAM (HM5118165)
sealed in SOJ package. The HB56H132 is a 1M
×
32 dynamic RAM module, mounted 2 pieces of 16-Mbit
DRAM (HM5118165) sealed in SOJ package. The HB56H232, HB56H132 offer Extended Data Out
(EDO) Page Mode as a high speed access time. An outline of the HB56H232, HB56H132 is 72-pin single
in-line package. Therefore, the HB56H232, HB56H132 make high density mounting possible without
surface mount technology. The HB56H232, HB56H132 provide common data inputs and outputs.
Decoupling capacitors are mounted on the module board.
Features
72-pin single in-line package
Outline: 107.95 mm (Length)
×
25.40 mm (Height)
×
9.14/5.28 mm (Thickness)
Lead pitch: 1.27 mm
Single 5 V (±5%) supply
High speed
Access time: t
RAC
= 50 /60 /70ns (max)
Low power dissipation
Active mode: 2.15 /1.84 /1.63 W (max) (HB56H232 Series)
2.10 /1.79 /1.58 W (max) (HB56H132 Series)
Standby mode (TTL): 42 mW (max) (HB56H232 Series)
(TTL): 21 mW (max) (HB56H132 Series)
(CMOS): 3.15 mW (max) (L-version) (HB56H232 Series)
(CMOS): 1.58 mW (max) (L-version) (HB56H132 Series)
EDO page mode capability
Refresh period
1024 refresh cycles: 16 ms
128 ms (L-version)

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