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HYB18T1G800AC-3.7

产品描述DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68
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文件大小1MB,共95页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYB18T1G800AC-3.7概述

DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68

HYB18T1G800AC-3.7规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码DSBGA
包装说明FBGA,
针数68
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.5 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B68
长度20 mm
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量68
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
组织128MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码FBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10 mm

HYB18T1G800AC-3.7相似产品对比

HYB18T1G800AC-3.7 HYB18T1G400AC-3.7 HYB18T1G160AC-3.7 HYB18T1G800AC-5 HYB18T1G160AC-5 HYB18T1G400AC-5
描述 DDR DRAM, 128MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68 DDR DRAM, 256MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68 DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92 DDR DRAM, 128MX8, 0.6ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68 DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA92, 10 X 20 MM, MO-207DL-Z, FBGA-92 DDR DRAM, 256MX4, 0.6ns, CMOS, PBGA68, 10 X 20 MM, MO-207DM-Z, FBGA-68
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 DSBGA DSBGA DSBGA DSBGA DSBGA DSBGA
包装说明 FBGA, FBGA, FBGA, FBGA, FBGA, FBGA,
针数 68 68 92 68 92 68
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.5 ns 0.5 ns 0.5 ns 0.6 ns 0.6 ns 0.6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-PBGA-B68 R-PBGA-B68 R-PBGA-B92 R-PBGA-B68 R-PBGA-B92 R-PBGA-B68
长度 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm 20 mm
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 8 4 16 8 16 4
功能数量 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 68 68 92 68 92 68
字数 134217728 words 268435456 words 67108864 words 134217728 words 67108864 words 268435456 words
字数代码 128000000 256000000 64000000 128000000 64000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
组织 128MX8 256MX4 64MX16 128MX8 64MX16 256MX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA FBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
端子形式 BALL BALL BALL BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm 10 mm

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