EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM168 |
针数 | 168 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 60 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 |
内存密度 | 2415919104 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE |
内存宽度 | 72 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 168 |
字数 | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 32MX72 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装等效代码 | DIMM168 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 |
座面最大高度 | 50.8 mm |
最大待机电流 | 0.03 A |
最大压摆率 | 2.08 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
M372E3200BJ0-C60 | M372E3200BJ0-C50 | M372E3280BJ0-C60 | M372E3280BJ0-C50 | |
---|---|---|---|---|
描述 | EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 | EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 | EDO DRAM Module, 32MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 | EDO DRAM Module, 32MX72, 50ns, CMOS, DIMM-168 |
厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
零件包装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
包装说明 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 | DIMM, DIMM168 |
针数 | 168 | 168 | 168 | 168 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间 | 60 ns | 50 ns | 60 ns | 50 ns |
其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 | R-XDMA-N168 |
内存密度 | 2415919104 bit | 2415919104 bit | 2415919104 bit | 2415919104 bit |
内存集成电路类型 | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE | EDO DRAM MODULE |
内存宽度 | 72 | 72 | 72 | 72 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 168 | 168 | 168 | 168 |
字数 | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words |
字数代码 | 32000000 | 32000000 | 32000000 | 32000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 32MX72 | 32MX72 | 32MX72 | 32MX72 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
封装等效代码 | DIMM168 | DIMM168 | DIMM168 | DIMM168 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 4096 | 4096 | 8192 | 8192 |
座面最大高度 | 50.8 mm | 50.8 mm | 50.8 mm | 50.8 mm |
最大待机电流 | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A | 0.03 A |
最大压摆率 | 2.08 mA | 2.26 mA | 1.72 mA | 1.9 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
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