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K3N3C1000D-TE120

产品描述MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
产品类别存储    存储   
文件大小48KB,共3页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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K3N3C1000D-TE120概述

MASK ROM, 256KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

K3N3C1000D-TE120规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2,
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
备用内存宽度8
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.41 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型MASK ROM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10.16 mm
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