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MBR20200CTP

产品描述10A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, CASE 221A-09, 4 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MBR20200CTP概述

10A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB, PLASTIC, CASE 221A-09, 4 PIN

MBR20200CTP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
制造商包装代码CASE 221A-09
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.8 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间30

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MBR20200CTP
SWITCHMODE™ Power
Dual Schottky Rectifier
. . . using Schottky Barrier technology with a platinum barrier metal.
This state–of–the–art device is designed for use in high frequency
switching power supplies and converters with up to 48 volt outputs.
They block up to 200 volts and offer improved Schottky performance at
frequencies from 250 kHz to 5.0 MHz.
http://onsemi.com
200 Volt Blocking Voltage
Low Forward Voltage Drop
Guardring for Stress Protection and High dv/dt Capability
(10,000 V/µs)
Dual Diode Construction – Terminals 1 and 3 Must be Connected for
Parallel Operation at Full Rating
Mechanical Characteristics
SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIER
20 AMPERES
200 VOLTS
1
2, 4
3
4
Case: Epoxy, Molded
Weight: 1.9 grams (approximately)
Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable
Lead Temperature for Soldering Purposes:
260°C Max. for 10 Seconds
Shipped 50 units per plastic tube
Marking: B20200P
MAXIMUM RATINGS
(Per Leg)
Rating
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
(Rated V
R
, T
C
= 125°C)
Per Leg
Per Package
Peak Repetitive Forward Current
(Rated V
R
, Square Wave, 20 kHz,
Per Leg
T
C
= 90°C)
Non–Repetitive Peak Surge Current
(Surge Applied at Rated Load
Conditions Halfwave, Single
Phase, 60 Hz)
Peak Repetitive Reverse Surge
Current (2.0
ms,
1.0 kHz)
Storage Temperature Range
Operating Junction Temperature
Voltage Rate of Change (Rated V
R
)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F(AV)
10
20
I
FRM
20
A
Value
200
Unit
V
1
2
3
CASE 221A
TO–220AB
PLASTIC
A
MARKING DIAGRAM
I
FSM
150
A
YY WW
B20200P
AKA
I
RRM
T
stg
T
J
dv/dt
1.0
–65 to +175
–65 to +150
10,000
A
°C
°C
V/ms
YY
= Year
WW
= Work Week
B20200P= Device Code
AKA
= Diode Polarity
ORDERING INFORMATION
Device
MBR20200CTP
Package
TO–220
Shipping
50 Units/Rail
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001
1
May, 2001 – Rev. 2
Publication Order Number:
MBR20200CTP/D
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