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NAND512R3B3AZA6

产品描述64MX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63
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文件大小1MB,共59页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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NAND512R3B3AZA6概述

64MX8 FLASH 1.8V PROM, 35ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, VFBGA-63

NAND512R3B3AZA6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA63,10X12,32
针数63
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间35 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模512
端子数量63
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA63,10X12,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小2K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.05 mm
部门规模128K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.015 mA
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位NO
宽度9.5 mm
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