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MBM29LV800B-12PR

产品描述Flash, 1MX8, 120ns, PDSO46
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共51页
制造商FUJITSU(富士通)
官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
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MBM29LV800B-12PR概述

Flash, 1MX8, 120ns, PDSO46

MBM29LV800B-12PR规格参数

参数名称属性值
厂商名称FUJITSU(富士通)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间120 ns
其他特性CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN
启动块BOTTOM
JESD-30 代码R-PDSO-N46
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量46
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SON
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL
类型NOR TYPE

MBM29LV800B-12PR相似产品对比

MBM29LV800B-12PR MBM29LV800B-10PFTN MBM29LV800B-12PFTN MBM29LV800T-10PR MBM29LV800T-12PR MBM29LV800B-10PR MBM29LV800B-10PFTR
描述 Flash, 1MX8, 120ns, PDSO46 Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 Flash, 1MX8, 120ns, PDSO48, PLASTIC, TSOP1-48 Flash, 1MX8, 100ns, PDSO46 Flash, 1MX8, 120ns, PDSO46 1MX8 FLASH 3V PROM, 100ns, PDSO46 Flash, 1MX8, 100ns, PDSO48, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 120 ns 100 ns 120 ns 100 ns 120 ns 100 ns 100 ns
其他特性 CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN CAN ALSO BE CONFIGURABLE AS 512K X 16 ;100K PROGRAM/ERASE CYCLE MIN
启动块 BOTTOM BOTTOM BOTTOM TOP TOP BOTTOM BOTTOM
JESD-30 代码 R-PDSO-N46 R-PDSO-G48 R-PDSO-G48 R-PDSO-N46 R-PDSO-N46 R-PDSO-N46 R-PDSO-G48
内存密度 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bit 8388608 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 46 48 48 46 46 46 48
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000 1000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8 1MX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SON TSOP1 TSOP1 SON SON SON TSOP1-R
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 3 V 2.7 V 3 V 2.7 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3.3 V 3 V 3.3 V 3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD GULL WING GULL WING NO LEAD NO LEAD NO LEAD GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
厂商名称 FUJITSU(富士通) - FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) FUJITSU(富士通) - FUJITSU(富士通)
包装说明 - PLASTIC, TSOP1-48 TSOP1, TSSOP48,.8,20 - - SON, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-48

 
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