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MT29F2G16AABWG

产品描述Flash, 128MX16, 30ns, PDSO48, TSOP1-48
产品类别存储    存储   
文件大小1MB,共57页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT29F2G16AABWG概述

Flash, 128MX16, 30ns, PDSO48, TSOP1-48

MT29F2G16AABWG规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1-48
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间30 ns
命令用户界面YES
数据轮询NO
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模2K
端子数量48
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
页面大小1K words
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)235
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模64K
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
切换位NO
类型SLC NAND TYPE
宽度12 mm

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2, 4, 8Gb: x8/x16 Multiplexed NAND Flash Memory
Features
NAND Flash Memory
MT29F2G08AABWP/MT29F2G16AABWP
MT29F4G08BABWP/MT29F4G16BABWP
MT29F8G08FABWP
Features
• Organization:
• Page size:
x8: 2,112 bytes (2,048 + 64 bytes)
x16: 1,056 words (1,024 + 32 words)
• Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)
• Device size: 2Gb: 2,048 blocks; 4Gb: 4,096 blocks;
8Gb: 8,192 blocks
• Read performance:
• Random read: 25µs
• Sequential read: 30ns (3V x8 only)
• Write performance:
• Page program: 300µs (TYP)
• Block erase: 2ms (TYP)
• Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles
• Data retention: 10 years
• First block (block address 00h) guaranteed to be
valid without ECC (up to 1,000 PROGRAM/ERASE
cycles)
• V
CC
: 2.7V–3.6V
• Automated PROGRAM and ERASE
• Basic NAND command set:
• PAGE READ, RANDOM DATA READ, READ ID,
READ STATUS, PROGRAM PAGE, RANDOM DATA
INPUT, PROGRAM PAGE CACHE MODE, INTER-
NAL DATA MOVE, INTERNAL DATA MOVE with
RANDOM DATA INPUT, BLOCK ERASE, RESET
• New commands:
• PAGE READ CACHE MODE
• READ UNIQUE ID (contact factory)
• READ ID2 (contact factory)
• Operation status byte provides a software method of
detecting:
• PROGRAM/ERASE operation completion
• PROGRAM/ERASE pass/fail condition
• Write-protect status
• Ready/busy# (R/B#) pin provides a hardware
method of detecting PROGRAM or ERASE cycle
completion
• PRE pin: prefetch on power up
• WP# pin: hardware write protect
Figure 1:
48-Pin TSOP Type 1
Options
Marking
• Density:
MT29F2GxxAAB
2Gb (single die)
MT29F4GxxBAB
4Gb (dual-die stack)
MT29F8GxxFAB
8Gb (quad-die stack)
• Device width:
MT29Fxx08x
x8
MT29Fxx16x
x16
• Configuration: # of
# of
# of
die
CE#
R/B#
1
1
1
A
2
1
1
B
4
2
2
F
A
• V
CC
: 2.7V–3.6V
• Second generation die
B
• Package:
48 TSOP type I (lead-free)
WP
48 TSOP type I (NEW version,
WA
8Gb device only, lead-free)
48 TSOP type I (contact factory)
WG
• Operating temperature:
Commercial (0°C to 70°C)
None
Extended temperature (-40°C to +85°C)
ET
PDF: 09005aef818a56a7 / Source: 09005aef81590bdd
2gb_nand_m29b__1.fm - Rev. I 1/06 EN
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
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