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MT16JTF25664AY-1G6XX

产品描述DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-269R/CB, UDIMM-240
产品类别存储    存储   
文件大小341KB,共13页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT16JTF25664AY-1G6XX概述

DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, LEAD FREE, MO-269R/CB, UDIMM-240

MT16JTF25664AY-1G6XX规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
零件包装代码DIMM
包装说明LEAD FREE, MO-269R/CB, UDIMM-240
针数240
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-XDMA-N240
JESD-609代码e4
长度133.35 mm
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度30.5 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层GOLD
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
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