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MX69LW162TXBI-90: 产品描述Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66; 产品类别存储存储; 文件大小533KB，共55页; 制造商Macronix; 官网地址http://www.macronix.com/en-us/Pages/default.aspx

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MX69LW162TXBI-90概述

Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66

MX69LW162TXBI-90规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Macronix
零件包装代码	BGA
包装说明	LFBGA, BGA69,10X12,32
针数	66
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	90 ns
其他特性	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16 OR 256K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8
JESD-30 代码	R-PBGA-B66
长度	11 mm
内存密度	16777216 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16
混合内存类型	FLASH+SRAM
功能数量	1
端子数量	66
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA
封装等效代码	BGA69,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm
最大压摆率	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	0.8 mm
端子位置	BOTTOM
宽度	8 mm

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ADVANCED INFORMATION

MX69LW162/164T/B

16M-BIT [X8/X16] FLASH AND 2M-BIT/4M-BIT (X8/X16) SRAM

MIXED MULTI CHIP PACKAGE MEMORY

FEATURES

• Supply voltage range: 2.7V to 3.6V

• Fast access time: Flash memory:70/90ns

SRAM memory:70/85ns

• Operation temperature range: -40 ~ 85°

• Boot Sector Architecture

- T = Top Boot Sector

- B = Bottom Boot Sector

• Status Register feature for detection of program or

erase cycle completion

• Alternating Back Ground Program/Erase Operation

between Bank I, Bank II

• Software command control

• Selective Block Lock

FLASH

Word mode/Byte mode switchable

15mA maximum active current

0.1uA typical standby current

Program Time: 4ms typical /each blocks

Auto program for Bank I (2Mb)

- Word/Byte Programming (1 word/byte)

- Page Programming (128 word/256 byte)

• Auto program for Bank II (14Mb)

- Page programming (128 word/256 byte)

• Auto erase operation

- Automatically erases any combination of the blocks

- Fast erase time: 40ms typical for single block erase

• 100,000 minimum erase/program cycles

•

SRAM

• MX69LW162T/B: 128K wordx16 Bit/256K Bytex8 Bit

switchable

• MX69LW164T/B: 256K wordx16 Bit/512K Bytex8 Bit

switchable

• 50mA maximum active current

• 1uA typical standby current

• Data retention supply voltage: 2.0V~3.6V

• Byte data control : LBs(Q0 to Q7) and UBs(Q8 to Q15)

GENERAL DESCRIPTION

The MXIC's mixed multi chip memory combines Flash

and SRAM into a single package. The mixed multi chip

memory operates 2.7 to 3.6V power supply to allow for

simple in-system operation. Using the CIOf and CIOs

inputs, the devices of Flash and SRAM can be selected

to be word-mode or byte-mode separately.

The Flash memory of mixed multi chip memory manu-

factured with MXIC's advanced nonvolatile memory tech-

nology, the flash memory of mixed multi chip memory

provide simultaneous operation which can read data while

program/erase, the data is divided into two banks of

Bank I, BankII. The device offers access times of 70ns/

90ns, and a low 0.1uA typical standby current.

The 2M-bit SRAM of MX69LW162T/B is organized as

256K-byte by 8-bit or 128K-word by 16-bit. The 4M-bit

SRAM of MX69LW164T/B is organized as 512K-byte by

8-bit or 256K-word by 16-bit. The advanced CMOS tech-

nology and circuit techniques provide both high speed

and low power features of with a typical CMOS standby

current of 1uA and maximum access time of 70ns/85ns

in 3V operation.

The mixed multi chip memory is available in 8mm x

11mm FBGA Package to suit a variety of design appli-

cations.

P/N:PM0908

REV. 0.3, MAY 12, 2003

MX69LW162TXBI-90相似产品对比

	MX69LW162TXBI-90	MX69LW164BXBI-70	MX69LW164TXBI-70	MX69LW162TXBI-70	MX69LW164TXBI-90	MX69LW162BXBI-90	MX69LW162BXBI-70
描述	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66	Memory Circuit, Flash+SRAM, 1MX16, CMOS, PBGA66, 11 X 8 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, MO-219, FBGA-66
零件包装代码	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA	BGA
包装说明	LFBGA, BGA69,10X12,32	LFBGA, BGA69,10X12,32	LFBGA, BGA69,10X12,32	LFBGA, BGA69,10X12,32	LFBGA, BGA69,10X12,32	LFBGA, BGA69,10X12,32	LFBGA, BGA69,10X12,32
针数	66	66	66	66	66	66	66
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	90 ns	70 ns	70 ns	70 ns	90 ns	90 ns	70 ns
其他特性	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16 OR 256K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8	SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16 OR 512K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8	SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16 OR 512K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16 OR 256K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8	SRAM IS ORGANISED AS 256K X 16 OR 512K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16 OR 256K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8	SRAM IS ORGANISED AS 128K X 16 OR 256K X 8, FLASH MEMORY CAN ALSO BE ORGANIZED AS 2M X 8
JESD-30 代码	R-PBGA-B66	R-PBGA-B66	R-PBGA-B66	R-PBGA-B66	R-PBGA-B66	R-PBGA-B66	R-PBGA-B66
长度	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm	11 mm
内存密度	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit	16777216 bit
内存集成电路类型	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT	MEMORY CIRCUIT
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
混合内存类型	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM	FLASH+SRAM
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	66	66	66	66	66	66	66
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16	1MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA	LFBGA
封装等效代码	BGA69,10X12,32	BGA69,10X12,32	BGA69,10X12,32	BGA69,10X12,32	BGA69,10X12,32	BGA69,10X12,32	BGA69,10X12,32
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
电源	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V	3/3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm	1.4 mm
最大压摆率	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
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表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
宽度	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm	8 mm
厂商名称	Macronix	-	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix	Macronix

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