DUAL BUFFER AMPLIFIER, PDSO8, SOIC-8
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOP, |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
放大器类型 | BUFFER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 24 µA |
标称带宽 (3dB) | 90 MHz |
最大输入失调电压 | 35000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 4.9 mm |
湿度敏感等级 | NOT SPECIFIED |
负供电电压上限 | |
标称负供电电压 (Vsup) | |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
最小输出电流 | 0.04 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | COMMERCIAL |
座面最大高度 | 1.75 mm |
标称压摆率 | 290 V/us |
供电电压上限 | 14 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.9 mm |
CLC5632IM | CLC5632IN | |
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描述 | DUAL BUFFER AMPLIFIER, PDSO8, SOIC-8 | DUAL BUFFER AMPLIFIER, PDIP8, PLASTIC, DIP-8 |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Rochester Electronics | Rochester Electronics |
零件包装代码 | SOIC | DIP |
包装说明 | SOP, | DIP, |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
放大器类型 | BUFFER | BUFFER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 24 µA | 24 µA |
标称带宽 (3dB) | 90 MHz | 90 MHz |
最大输入失调电压 | 35000 µV | 35000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 4.9 mm | 9.817 mm |
功能数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
最小输出电流 | 0.04 A | 0.04 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
座面最大高度 | 1.75 mm | 5.08 mm |
标称压摆率 | 290 V/us | 290 V/us |
供电电压上限 | 14 V | 14 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 3.9 mm | 7.62 mm |
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