Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> 70V7599S133DRG8

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70V7599S133DRG8: 产品描述Dual-Port SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208; 产品类别存储存储; 文件大小749KB，共22页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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70V7599S133DRG8概述

Dual-Port SRAM, 128KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP208, 28 X 28 MM, 3.50 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, QFP-208

70V7599S133DRG8规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	QFP, QFP208,1.2SQ,20
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	4.2 ns
其他特性	PIPELINED OR FLOW THROUGH ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G208
内存密度	4718592 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	36
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	208
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX36
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP208,1.2SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	3.15 V
最大压摆率	0.645 mA
最大供电电压 (Vsup)	3.45 V
最小供电电压 (Vsup)	3.15 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD

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HIGH-SPEED 3.3V 128K x 36

SYNCHRONOUS

BANK-SWITCHABLE

DUAL-PORT STATIC RAM

WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE

Features:

◆

IDT70V7599S

◆

128K x 36 Synchronous Bank-Switchable Dual-ported

SRAM Architecture

–

64 independent 2K x 36 banks

– 4 megabits of memory on chip

Bank access controlled via bank address pins

High-speed data access

– Commercial: 3.4ns (200MHz)/3.6ns (166MHz)/

4.2ns (133MHz) (max.)

– Industrial: 3.6ns (166MHz)/4.2ns (133MHz) (max.)

Selectable Pipelined or Flow-Through output mode

Counter enable and repeat features

Dual chip enables allow for depth expansion without

additional logic

Full synchronous operation on both ports

– 5ns cycle time, 200MHz operation (14Gbps bandwidth)

– Fast 3.4ns clock to data out

◆

– 1.5ns setup to clock and 0.5ns hold on all control, data, and

address inputs @ 200MHz

– Data input, address, byte enable and control registers

– Self-timed write allows fast cycle time

Separate byte controls for multiplexed bus and bus

matching compatibility

LVTTL- compatible, 3.3V (±150mV) power supply

for core

LVTTL compatible, selectable 3.3V (±150mV) or 2.5V (±100mV)

power supply for I/Os and control signals on each port

Industrial temperature range (-40°C to +85°C) is

available at 166MHz and 133MHz

Available in a 208-pin Plastic Quad Flatpack (PQFP),

208-pin fine pitch Ball Grid Array (fpBGA), and 256-pin Ball

Grid Array (BGA)

Supports JTAG features compliant with IEEE 1149.1

Green parts available, see ordering information

Functional Block Diagram

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

PL/FT

OPT

CLK

ADS

CNTEN

REPEAT

R/W

CONTROL

LOGIC

MUX

2Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 0)

MUX

CONTROL

LOGIC

I/O

0L-35L

I/O

CONTROL

MUX

2Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 1)

MUX

I/O

CONTROL

I/O

0R-35R

10L

ADDRESS

DECODE

ADDRESS

DECODE

10R

BANK

DECODE

MUX

2Kx36

MEMORY

ARRAY

(BANK 63)

BANK

DECODE

NOTE:

1. The Bank-Switchable dual-port uses a true SRAM

core instead of the traditional dual-port SRAM core.

As a result, it has unique operating characteristics.

Please refer to the functional description on page 19

for details.

MUX

TDI

TDO

JTAG

TMS

TCK

TRST

5626 drw 01

JUNE 2015

DSC 5626/7

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