PESD5V0L5UK,PESD5V0L5UK pdf中文资料,PESD5V0L5UK引脚图,PESD5V0L5UK电路-Datasheet-电子工程世界

PESD5V0L5UK: 产品描述30W, UNIDIRECTIONAL, 5 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小266KB，共15页; 制造商NXP(恩智浦); 官网地址https://www.nxp.com; 标准

下载文档详细参数选型对比全文预览

PESD5V0L5UK概述

30W, UNIDIRECTIONAL, 5 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
零件包装代码	DFN
包装说明	1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	7.14 V
最小击穿电压	6.47 V
配置	COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	S-PBCC-N6
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	30 W
元件数量	5
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30

	PESD5V0L5UK	PESD3V3L5UK
描述	30W, UNIDIRECTIONAL, 5 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6	28W, UNIDIRECTIONAL, 5 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, 1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6
是否Rohs认证	符合	符合
零件包装代码	DFN	DFN
包装说明	1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6	1 X 1 MM, 0.50 MM HEIGHT, ULTRA SMALL, LEADLESS, PLASTIC PACKAGE-6
针数	2	2
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大击穿电压	7.14 V	5.9 V
最小击穿电压	6.47 V	5.3 V
配置	COMMON ANODE, 5 ELEMENTS	COMMON ANODE, 5 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	S-PBCC-N6	S-PBCC-N6
湿度敏感等级	1	1
最大非重复峰值反向功率耗散	30 W	28 W
元件数量	5	5
端子数量	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	260	260
极性	UNIDIRECTIONAL	UNIDIRECTIONAL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	5 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30

多芯片封装vs.单芯片封装，谁好？: [hide]多晶封装成为业者思考的解决方桉，就此现象提出其对单晶或多晶封装的优劣比较。文中提到，在需要高流明输出的一般照明领域，多晶封装不见得是最好的对策，採用多个单晶封装LED可能是更好的解决方桉，特别是在路灯的应用上。高功率LED的设计製造，会遇到两个最大的难题是：散热问题以及如何让其发光方向达到指定要求。而面对这两个问题，採用多个单晶封装LED，会比採用多晶封装好的多。试想，如果我们要把4个...; 探路者 LED专区

全新凯迪拉克CTS将上市安全性能全解读: 凯迪拉克是一只历史悠久的著名汽车品牌，一直以来国内消费者对于美式轿车的印象大都是豪华宽大的设计，但是除此之外在凯迪拉克身上更多的还融入了如今最为流行的元素和更加出色的性能。将于本月18日在深圳上市的全新一代凯迪拉克CTS就是这样一个集豪华、时尚和高性能于一体的轿跑车。而在新车上市之前我们还是来了解一下该车的安全性究竟如何，对于它的主人能够提供怎样的都到保护。 [align=center][img]...; 1ying 汽车电子

RISC-V IDE MRS使用笔记(一)：Target mode doesn't match: [i=s] 本帖最后由 Moiiiiilter 于 2022-5-27 14:15 编辑 [/i]【问题描述】【报错原因】下载或调试时,目标工程对应芯片的内核（RISC-V/ARM）与当前WCH-Link模式不匹配。【解决方法】根据目标工程对应芯片的内核，WCH-Link上电时通过TX接GND的方法切换到RISC-V或ARM模式。更多WCH-Link详细操作说明可参考《WCH-Link使用说明.p...; Moiiiiilter 单片机

.ref的问题: [i=s] 本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 13:38 编辑 [/i]我使用CCS2000编译工程，用到了以下语句：.refF$$ITOF, F$$DIV, F$$MUL.refF$$FTOI, F$$ADD, F$$LTOF, F$$SUB.ref _sin编译的时候报错说：undefinedfirst referencedsymbolin file-------------...; charon2 模拟与混合信号

安信可NB-IoT模组测评——使用MQTT发送消息: MQTT协议是物联网上非常常用的一个协议，作为客户端一般可以支持订阅和发布两种动作中至少一种，安信可NB-IoT模块的AT指令集中将两种动作分别使用AT+ECMTSUB和AT+ECMTPUB实现了消息的订阅和发布。在我之前的计划中，安信可NB-IoT模块需要将环境监控信息发往服务器，因此只需要AT+ECMTPUB功能就可以了，为了配合调试，我使用了Python下的paho-mqtt模块，在电脑上订...; tobot RF/无线

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多