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HYMD116M645BL8-K

产品描述DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200
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文件大小252KB,共19页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HYMD116M645BL8-K概述

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200

HYMD116M645BL8-K规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码MODULE
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.75 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDMA-N200
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
自我刷新YES
最大待机电流0.12 A
最大压摆率2.08 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL

HYMD116M645BL8-K相似产品对比

HYMD116M645BL8-K HYMD116M645BL8-H HYMD116M645BL8-M HYMD116M645BL8-J HYMD116M645BL8-L HYMD116M645B8-J HYMD116M645B8-L HYMD116M645B8-H HYMD116M645B8-K HYMD116M645B8-M
描述 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.7ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.8ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200 DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, 67.60 X 31.75 X 1 MM, SODIMM-200
厂商名称 SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士) SK Hynix(海力士)
零件包装代码 MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE MODULE
包装说明 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24 DIMM, DIMM200,24
针数 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.7 ns 0.8 ns 0.7 ns 0.8 ns 0.75 ns 0.75 ns 0.75 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz 133 MHz 133 MHz 166 MHz 125 MHz 166 MHz 125 MHz 133 MHz 133 MHz 133 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200 R-XDMA-N200
内存密度 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit 1073741824 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000 16000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64 16MX64
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
封装等效代码 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24 DIMM200,24
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096 4096
自我刷新 YES YES YES YES YES YES YES YES YES YES
最大待机电流 0.12 A 0.12 A 0.12 A 0.16 A 0.12 A 0.16 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A
最大压摆率 2.08 mA 2.08 mA 2.08 mA 2.4 mA 1.76 mA 2.4 mA 1.76 mA 2.08 mA 2.08 mA 2.08 mA
最大供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
最小供电电压 (Vsup) 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V 2.3 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
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