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IDT7M135S70CB

产品描述Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 70ns, CMOS, CDMA58
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文件大小383KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M135S70CB概述

Multi-Port SRAM Module, 16KX8, 70ns, CMOS, CDMA58

IDT7M135S70CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDMA-T58
JESD-609代码e0
内存密度131072 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量2
端子数量58
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织16KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP58,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.24 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.64 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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