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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MT4C2M8E7DW-5
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MT4C2M8E7DW-5

产品描述EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
产品类别存储    存储   
文件大小283KB，共23页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT4C2M8E7DW-5概述

EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

MT4C2M8E7DW-5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码SOJ
包装说明0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28
针数28
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间50 ns
其他特性RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J28
JESD-609代码e0
长度18.44 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型EDO DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量28
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ28,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期2048
座面最大高度3.68 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.0005 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.21 mm

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TECHNOLOGY, INC.
2 MEG x 8
EDO DRAM
MT4LC2M8E7
MT4C2M8E7
DRAM
FEATURES
• Industry-standard x8 pinout, timing, functions and
packages
• State-of-the-art, high-performance, low-power CMOS
silicon-gate process
• Single power supply (+3.3V
±0.3V
or +5V
±10%)
• All inputs, outputs and clocks are TTL-compatible
• Refresh modes: RAS#-ONLY, HIDDEN and CAS#-
BEFORE-RAS# (CBR)
• Optional Self Refresh (S) for low-power data retention
• 11 row, 10 column addresses
• Extended Data-Out (EDO) PAGE MODE access cycle
• 5V-tolerant inputs and I/Os on 3.3V devices
PIN ASSIGNMENT (Top View)
28-Pin SOJ
(DA-3)
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WE#
RAS#
NC
A10
A0
A1
A2
A3
Vcc
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
Vss
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS#
OE#
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WE#
RAS#
NC
A10
A0
A1
A2
A3
Vcc
28-Pin SOJ
(DA-4)
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
Vss
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS#
OE#
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
OPTIONS
• Voltages
3.3V
5V
• Refresh Addressing
2,048 (i.e. 2K) Rows
• Packages
Plastic SOJ (300 mil)
Plastic SOJ (400 mil)
Plastic TSOP (300 mil)
• Timing
50ns access
60ns access
• Refresh Rates
Standard Refresh
Self Refresh (128ms period)
MARKING
LC
C
E7
DJ
DW
TG
-5
-6
None
S
28-Pin TSOP
(DB-3)
V
CC
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
WE#
RAS#
NC
A10
A0
A1
A2
A3
Vcc
1
2
3
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5
6
7
8
9
10
11
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27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
Vss
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
CAS#
OE#
A9
A8
A7
A6
A5
A4
Vss
Note:
The # symbol indicates signal is active LOW.
2 MEG x 8 EDO DRAM PART NUMBERS
PART NUMBER
MT4LC2M8E7DJ
MT4LC2M8E7DJS
MT4LC2M8E7DW
MT4LC2M8E7DWS
MT4LC2M8E7TG
MT4LC2M8E7TGS
MT4C2M8E7DJ
MT4C2M8E7DJS
MT4C2M8E7DW
MT4C2M8E7DWS
MT4C2M8E7TG
MT4C2M8E7TGS
V
CC
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
3.3V
5V
5V
5V
5V
5V
5V
REFRESH
2K
2K
2K
2K
2K
2K
2K
2K
2K
2K
2K
2K
PACKAGE
300-SOJ
300-SOJ
400-SOJ
400-SOJ
TSOP
TSOP
300-SOJ
300-SOJ
400-SOJ
400-SOJ
TSOP
TSOP
REFRESH
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
Standard
Self
• Part Number Example: MT4LC2M8E7DJ-5
Note:
The 2 Meg x 8 EDO DRAM base number differentiates the offerings in
one place -
MT4LC2M8E7.
The third field distinguishes the low voltage
offering: LC designates V
CC
= 3.3V and C designates V
CC
= 5V.
KEY TIMING PARAMETERS
SPEED
-5
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
CAS
84ns
104ns
50ns
60ns
20ns
25ns
25ns
30ns
13ns
15ns
8ns
10ns
2 Meg x 8 EDO DRAM
D48.pm5 – Rev. 3/97
1
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
©1997,
Micron Technology, Inc.

MT4C2M8E7DW-5相似产品对比

MT4C2M8E7DW-5 MT4C2M8E7DW-6 MT4C2M8E7TG-5 MT4C2M8E7TG-6 MT4LC2M8E7DW-5 MT4C2M8E7DJ-6 MT4C2M8E7DJ-5 MT4LC2M8E7DJ-5 MT4LC2M8E7TG-5
描述 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 EDO DRAM, 2MX8, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology Micron Technology
零件包装代码 SOJ SOJ TSOP TSOP SOJ SOJ SOJ SOJ TSOP
包装说明 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-28
针数 28 28 28 28 28 28 28 28 28
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant unknown unknown not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns 50 ns 60 ns 50 ns 50 ns 50 ns
其他特性 RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28 R-PDSO-G28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-J28 R-PDSO-G28
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 18.44 mm 18.44 mm 18.41 mm 18.41 mm 18.44 mm 18.44 mm 18.44 mm 18.44 mm 18.41 mm
内存密度 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit 16777216 bit
内存集成电路类型 EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM EDO DRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 28 28 28 28 28 28 28 28 28
字数 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words 2097152 words
字数代码 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000 2000000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8 2MX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ TSOP2 TSOP2 SOJ SOJ SOJ SOJ TSOP2
封装等效代码 SOJ28,.44 SOJ28,.44 TSOP28,.34 TSOP28,.34 SOJ28,.44 SOJ28,.34 SOJ28,.34 SOJ28,.34 TSOP28,.34
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 235 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 3.3 V 5 V 5 V 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 2048 2048 2048 2048 2048 2048 2048 2048 2048
座面最大高度 3.68 mm 3.68 mm 1.2 mm 1.2 mm 3.68 mm 3.61 mm 3.61 mm 3.61 mm 1.2 mm
自我刷新 NO NO NO NO NO NO NO NO NO
最大待机电流 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A 0.0005 A
最大压摆率 0.14 mA 0.13 mA 0.14 mA 0.13 mA 0.11 mA 0.13 mA 0.14 mA 0.11 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 3.6 V 5.5 V 5.5 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 3 V 4.5 V 4.5 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 3.3 V 5 V 5 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND GULL WING GULL WING J BEND J BEND J BEND J BEND GULL WING
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 10.21 mm 10.21 mm 7.67 mm 7.67 mm 10.21 mm 7.67 mm 7.67 mm 7.67 mm 7.67 mm

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热门器件

  1. 284T31R103B24BT
  2. RM322-140-251-5700
  3. RWR81S1500FR
  4. 94676-414TLF
  5. 8614-00-28-1-YO-7-323
  6. Y1725422R000C9L
  7. RN73H2BTTE24R0D50
  8. 201P02N334JJ4H
  9. BZQ55-C11T/R7
  10. GDZ4.7B_B0_10001
  11. 1N5251D_AX_10001
  12. A2541WV-S-2x25P-C800-G30

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