Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> MBM29LV200BC-12PF

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MBM29LV200BC-12PF: 产品描述Flash, 128KX16, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44; 产品类别存储存储; 文件大小291KB，共54页; 制造商FUJITSU(富士通); 官网地址http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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MBM29LV200BC-12PF概述

Flash, 128KX16, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44

MBM29LV200BC-12PF规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FUJITSU(富士通)
包装说明	PLASTIC, SOP-44
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	120 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 128K X 16
备用内存宽度	8
启动块	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
长度	28.45 mm
内存密度	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	44
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
编程电压	3 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
类型	NOR TYPE
宽度	13 mm

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FUJITSU SEMICONDUCTOR

DATA SHEET

DS05-20865-3E

FLASH MEMORY

CMOS

2M (256K

8/128K

16) BIT

MBM29LV200TC

-70/-90/-12

/MBM29LV200BC

-70/-90/-12

FEATURES

• Single 3.0 V read, program, and erase

Minimizes system level power requirements

• Compatible with JEDEC-standard commands

Uses same software commands as E

PROMs

• Compatible with JEDEC-standard world-wide pinouts

48-pin TSOP(I) (Package suffix: PFTN – Normal Bend Type, PFTR – Reversed Bend Type)

44-pin SOP (Package suffix: PF)

• Minimum 100,000 program/erase cycles

• High performance

70 ns maximum access time

• Sector erase architecture

One 8K word, two 4K words, one 16K word, and three 32K words sectors in word mode

One 16K byte, two 8K bytes, one 32K byte, and three 64K bytes sectors in byte mode

Any combination of sectors can be concurrently erased. Also supports full chip erase

• Boot Code Sector Architecture

T = Top sector

B = Bottom sector

• Embedded Erase

Algorithms

Automatically pre-programs and erases the chip or any sector

• Embedded Program

Algorithms

Automatically writes and verifies data at specified address

• Data Polling and Toggle Bit feature for detection of program or erase cycle completion

• Ready/Busy output (RY/BY)

Hardware method for detection of program or erase cycle completion

• Automatic sleep mode

When addresses remain stable, automatically switch themselves to low power mode

• Low V

write inhibit

≤

2.5 V

• Erase Suspend/Resume

Suspends the erase operation to allow a read in another sector within the same device

(Continued)

Embedded Erase

and Embedded Program

are trademarks of Advanced Micro Devices, Inc.

MBM29LV200TC

-70/-90/-12

/MBM29LV200BC

-70/-90/-12

GENERAL DESCRIPTION

The MBM29LV200TC/BC are a 8M-bit, 3.0 V-only Flash memory organized as 256K bytes of 8 bits each or 128K

words of 16 bits each. The MBM29LV200TC/BC are offered in 48-pin TSOP(I) and 44-pin SOP packages. These

devices are designed to be programmed in-system with the standard system 3.0 V V

supply. 12.0 V V

and

5.0 V V

are not required for write or erase operations. The devices can also be reprogrammed in standard

EPROM programmers.

The standard MBM29LV200TC/BC offer access times 70 ns and 120 ns, allowing operation of high-speed

microprocessors without wait states. To eliminate bus contention the devices have separate chip enable (CE),

write enable (WE), and output enable (OE) controls.

The MBM29LV200TC/BC are pin and command set compatible with JEDEC standard E

PROMs. Commands

are written to the command register using standard microprocessor write timings. Register contents serve as

input to an internal state-machine which controls the erase and programming circuitry. Write cycles also internally

latch addresses and data needed for the programming and erase operations. Reading data out of the devices

is similar to reading from 5.0 V and 12.0 V Flash or EPROM devices.

The MBM29LV200TC/BC are programmed by executing the program command sequence. This will invoke the

Embedded Program Algorithm which is an internal algorithm that automatically times the program pulse widths

and verifies proper cell margin. Typically, each sector can be programmed and verified in about 0.5 seconds.

Erase is accomplished by executing the erase command sequence. This will invoke the Embedded Erase

Algorithm which is an internal algorithm that automatically preprograms the array if it is not already programmed

before executing the erase operation. During erase, the devices automatically time the erase pulse widths and

verify proper cell margin.

A sector is typically erased and verified in 1.0 second. (If already completely preprogrammed.)

The devices also feature a sector erase architecture. The sector mode allows each sector to be erased and

reprogrammed without affecting other sectors. The MBM29LV200TC/BC are erased when shipped from the

factory.

The devices feature single 3.0 V power supply operation for both read and write functions. Internally generated

and regulated voltages are provided for the program and erase operations. A low V

detector automatically

inhibits write operations on the loss of power. The end of program or erase is detected by Data Polling of DQ

by the Toggle Bit feature on DQ

, or the RY/BY output pin. Once the end of a program or erase cycle has been

completed, the devices internally reset to the read mode.

Fujitsu’s Flash technology combines years of EPROM and E

PROM experience to produce the highest levels

of quality, reliability, and cost effectiveness. The MBM29LV200TC/BC memories electrically erase the entire chip

or all bits within a sector simultaneously via Fowler-Nordhiem tunneling. The bytes/words are programmed one

byte/word at a time using the EPROM programming mechanism of hot electron injection.

MBM29LV200BC-12PF相似产品对比

	MBM29LV200BC-12PF	MBM29LV200BC-90PF	MBM29LV200TC-12PF	MBM29LV200BC-70PF
描述	Flash, 128KX16, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44	128KX16 FLASH 3V PROM, 90ns, PDSO44, PLASTIC, SO-44	Flash, 128KX16, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44	Flash, 128KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, SO-44
包装说明	PLASTIC, SOP-44	SOP, SOP44,.63	PLASTIC, SOP-44	PLASTIC, SO-44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	120 ns	90 ns	120 ns	70 ns
其他特性	CONFIGURABLE AS 128K X 16	CONFIGURABLE AS 128K X 16	CONFIGURABLE AS 128K X 16	CONFIGURABLE AS 128K X 16
备用内存宽度	8	8	8	8
启动块	BOTTOM	BOTTOM	TOP	BOTTOM
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	28.45 mm	28.45 mm	28.45 mm	28.45 mm
内存密度	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit	2097152 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH	FLASH	FLASH
内存宽度	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	128KX16	128KX16	128KX16	128KX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOP	SOP	SOP	SOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
编程电压	3 V	3 V	3 V	3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.5 mm	2.5 mm	2.5 mm	2.5 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
类型	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE	NOR TYPE
宽度	13 mm	13 mm	13 mm	13 mm

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