7N60G-TQ2-T-M,7N60G-TQ2-T-M pdf中文资料,7N60G-TQ2-T-M引脚图,7N60G-TQ2-T-M电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> 7N60G-TQ2-T-M

7N60G-TQ2-T-M: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE, TO-263, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小177KB，共6页; 制造商UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD; 官网地址http://www.unisonic.com.tw/; 标准

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7N60G-TQ2-T-M概述

Power Field-Effect Transistor, 7.4A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, HALOGEN FREE, TO-263, 3 PIN

7N60G-TQ2-T-M规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD
零件包装代码	D2PAK
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	4
Reach Compliance Code	compliant
雪崩能效等级（Eas）	530 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (ID)	7.4 A
最大漏源导通电阻	1.2 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-263AB
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	29.6 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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