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TBC850: 产品描述TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小216KB，共2页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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TBC850概述

TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

TBC850规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz

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	TBC850	TBC849-B	TBC849	TBC850-C	TBC849-C	TBC850-B
描述	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal	TRANSISTOR 100 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3F1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	2-3F1A, 3 PIN	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数	3	3	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE	LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	30 V	45 V	45 V	30 V	45 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	200	200	200	420	420	200
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3	3	3
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
晶体管应用	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz	300 MHz

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