HYB514400BTL-60,HYB514400BTL-60 pdf中文资料,HYB514400BTL-60引脚图,HYB514400BTL-60电路-Datasheet-电子工程世界

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HYB514400BTL-60: 产品描述Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20; 产品类别存储存储; 文件大小456KB，共25页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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HYB514400BTL-60概述

Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

HYB514400BTL-60规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Infineon(英飞凌)
零件包装代码	TSOP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
针数	20
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e0
长度	17.14 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	20
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装等效代码	TSSOP20/26,.36
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	NO
最大待机电流	0.0002 A
最大压摆率	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

HYB514400BTL-60相似产品对比

	HYB514400BTL-60	HYB514400BT-60	HYB514400BTL-70	HYB514400BT-70
描述	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	TSOP	TSOP	TSOP	TSOP
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20	0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
针数	20	20	20	20
Reach Compliance Code	not_compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	60 ns	60 ns	70 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/BATTERY BACKUP REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20	R-PDSO-G20
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	17.14 mm	17.14 mm	17.14 mm	17.14 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	4	4	4	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	20	20	20	20
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX4	1MX4	1MX4	1MX4
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装等效代码	TSSOP20/26,.36	TSSOP20/26,.36	TSSOP20/26,.36	TSSOP20/26,.36
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	NO	NO	NO	NO
最大待机电流	0.0002 A	0.001 A	0.0002 A	0.001 A
最大压摆率	0.11 mA	0.11 mA	0.1 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm
厂商名称	Infineon(英飞凌)	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)

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