EEPROM, 2KX8, 300ns, Parallel, NMOS, CDIP24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | LSC/CSI |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 300 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
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