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CDM6264CD3: 产品描述CDM6264CD3; 产品类别存储存储; 文件大小488KB，共11页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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CDM6264CD3概述

CDM6264CD3

CDM6264CD3规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant
最长访问时间	200 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T28
JESD-609代码	e0
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
端子数量	28
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流	0.0006 A
最大压摆率	0.015 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL

CDM6264CD3相似产品对比

	CDM6264CD3	CDM6264E3	CDM6264ACD3
描述	CDM6264CD3	IC,SRAM,8KX8,CMOS,DIP,28PIN,PLASTIC	CDM6264ACD3
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	_compli
最长访问时间	200 ns	150 ns	150 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDIP-T28	R-PDIP-T28	R-XDIP-T28
JESD-609代码	e0	e0	e0
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8
端子数量	28	28	28
字数	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	70 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-	-55 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC	PLASTIC/EPOXY	CERAMIC
封装代码	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP28,.6	DIP28,.6	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0006 A	0.00005 A	0.00035 A
最大压摆率	0.015 mA	0.045 mA	0.015 mA
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
筛选级别	38535Q/M;38534H;883B	-	38535Q/M;38534H;883B

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