8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.3 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 30 ns |
其他特性 | HARDWARE STORE/RECALL |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 40.635 mm |
内存密度 | 65536 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 8192 words |
字数代码 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.12 mm |
最大待机电流 | 0.001 A |
最大压摆率 | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm |
STK10C68-C30I | STK10C68-C30 | STK10C68-P30 | STK10C68-P30I | STK10C68-S30I | STK10C68-S30 | |
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描述 | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28 | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOIC-28 | 8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOIC-28 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | SOIC | SOIC |
包装说明 | DIP, DIP28,.3 | DIP, DIP28,.3 | DIP, DIP28,.3 | DIP, DIP28,.3 | SOP, SOP28,.3 | SOP, SOP28,.5 |
针数 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最长访问时间 | 30 ns | 30 ns | 30 ns | 30 ns | 30 ns | 30 ns |
其他特性 | HARDWARE STORE/RECALL | HARDWARE STORE/RECALL | HARDWARE STORE/RECALL | HARDWARE STORE/RECALL | HARDWARE STORE/RECALL | HARDWARE STORE/RECALL |
JESD-30 代码 | R-CDIP-T28 | R-CDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDIP-T28 | R-PDSO-G28 | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 40.635 mm | 40.635 mm | 34.67 mm | 34.67 mm | 18.0848 mm | 18.0848 mm |
内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bi |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 | 8000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 70 °C | 70 °C | 85 °C | 85 °C | 70 °C |
组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
可输出 | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP | SOP | SOP |
封装等效代码 | DIP28,.3 | DIP28,.3 | DIP28,.3 | DIP28,.3 | SOP28,.3 | SOP28,.5 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 | 240 |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 4.12 mm | 4.12 mm | 4.572 mm | 4.572 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
最大待机电流 | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A | 0.001 A |
最大压摆率 | 0.09 mA | 0.085 mA | 0.085 mA | 0.09 mA | 0.09 mA | 0.085 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) | Tin/Lead (Sn85Pb15) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | GULL WING | GULL WING |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
宽度 | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 8.763 mm | 8.763 mm |
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