MB8114820-015PFTN概述

512KX8 SYNCHRONOUS DRAM, 74ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44

MB8114820-015PFTN规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	44
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	74 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G44
长度	18.41 mm
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	44
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
刷新周期	1024
座面最大高度	1.2 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.8 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

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MB8114820-015PFTN相似产品对比

	MB8114820-015PFTN	MB8114820-012PFTR	MB8114820-015PFTR	MB8114820-010PFTR	MB8114820-010PFTN	MB8114820-012PFTN
描述	512KX8 SYNCHRONOUS DRAM, 74ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	512KX8 SYNCHRONOUS DRAM, 66ns, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, PLASTIC, TSOP2-44	512KX8 SYNCHRONOUS DRAM, 74ns, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, PLASTIC, TSOP2-44	512KX8 SYNCHRONOUS DRAM, 57ns, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, PLASTIC, TSOP2-44	512KX8 SYNCHRONOUS DRAM, 57ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44	512KX8 SYNCHRONOUS DRAM, 66ns, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-44
厂商名称	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)	FUJITSU(富士通)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2,	TSOP2-R,	TSOP2-R,	TSOP2-R,	TSOP2,	TSOP2,
针数	44	44	44	44	44	44
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST	DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间	74 ns	66 ns	74 ns	57 ns	57 ns	66 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm	18.41 mm
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	44	44
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2-R	TSOP2-R	TSOP2-R	TSOP2	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	1024	1024	1024	1024	1024	1024
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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