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P4C1024-20J3I: 产品描述Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32; 产品类别存储存储; 文件大小189KB，共7页; 制造商Pyramid Semiconductor Corporation; 官网地址http://www.pyramidsemiconductor.com/

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P4C1024-20J3I概述

Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32

P4C1024-20J3I规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation
零件包装代码	SOJ
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B
最长访问时间	20 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0
长度	20.955 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.7592 mm
最大待机电流	0.02 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.175 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	8.56 mm

P4C1024-20J3I相似产品对比

	P4C1024-20J3I	P4C1024-20P3C	P4C1024-25P3I	P4C1024-35J4I
描述	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDSO32, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	Standard SRAM, 128KX8, 20ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 25ns, CMOS, PDIP32, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	SOJ	DIP	DIP	SOJ
包装说明	0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-32	DIP, DIP32,.3	DIP, DIP32,.3	SOJ, SOJ32,.44
针数	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	3A991.B.2.B	3A991.B.2.B	EAR99	EAR99
最长访问时间	20 ns	20 ns	25 ns	35 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDSO-J32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
长度	20.955 mm	40.64 mm	40.64 mm	20.955 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-40 °C	-40 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	DIP	DIP	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.34	DIP32,.3	DIP32,.3	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.7592 mm	5.08 mm	5.08 mm	3.7592 mm
最大待机电流	0.02 A	0.02 A	0.02 A	0.02 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.175 mA	0.16 mA	0.165 mA	0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	J BEND
端子节距	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	8.56 mm	7.62 mm	7.62 mm	11.76 mm
厂商名称	Pyramid Semiconductor Corporation	-	Pyramid Semiconductor Corporation	Pyramid Semiconductor Corporation

P4C1024-20J3I

P4C1024-20J3I概述

P4C1024-20J3I规格参数

P4C1024-20J3I相似产品对比

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