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W25Q80VSSIG: 产品描述Flash, 1MX8, PDSO8, 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8; 产品类别存储存储; 文件大小2MB，共61页; 制造商Winbond(华邦电子); 官网地址http://www.winbond.com.tw; 标准

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W25Q80VSSIG概述

Flash, 1MX8, PDSO8, 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8

	W25Q80VSSIG	W25Q80VZPIG
描述	Flash, 1MX8, PDSO8, 0.208 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8	Flash, 1MX8, 6 X 5 MM, GREEN, WSON-8
是否无铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合
厂商名称	Winbond(华邦电子)	Winbond(华邦电子)
零件包装代码	SOIC	SON
包装说明	SOP,	HVSON,
针数	8	8
Reach Compliance Code	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大时钟频率 (fCLK)	80 MHz	80 MHz
JESD-30 代码	S-PDSO-G8	R-XDSO-N8
JESD-609代码	e3	e3
长度	5.28 mm	6 mm
内存密度	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	FLASH	FLASH
内存宽度	8	8
功能数量	1	1
端子数量	8	8
字数	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C
组织	1MX8	1MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	UNSPECIFIED
封装代码	SOP	HVSON
封装形状	SQUARE	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED
编程电压	2.7 V	2.7 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.16 mm	0.8 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V
表面贴装	YES	YES
技术	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED
宽度	5.28 mm	5 mm

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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