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CY14B104M-ZS20XI

产品描述Non-Volatile SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
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文件大小748KB,共29页
制造商Cypress(赛普拉斯)
标准
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CY14B104M-ZS20XI概述

Non-Volatile SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44

CY14B104M-ZS20XI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cypress(赛普拉斯)
零件包装代码TSOP2
包装说明ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
针数44
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间20 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G44
长度18.415 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量44
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.194 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度10.16 mm

CY14B104M-ZS20XI相似产品对比

CY14B104M-ZS20XI CY14B104M-ZS20XIT CY14B104K-ZSP20XCT CY14B104K-ZSP20XI CY14B104K-ZSP20XIT CY14B104M-ZS20XCT
描述 Non-Volatile SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 Non-Volatile SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 Non-Volatile SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 Non-Volatile SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 Non-Volatile SRAM, 512KX8, 20ns, CMOS, PDSO54, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54 Non-Volatile SRAM, 256KX16, 20ns, CMOS, PDSO44, ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
零件包装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
包装说明 ROHS COMPLIANT, TSOP2-44 TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2, TSOP2,
针数 44 44 54 54 54 44
Reach Compliance Code compliant unknown unknown compliant unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns 20 ns
JESD-30 代码 R-PDSO-G44 R-PDSO-G44 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G54 R-PDSO-G44
长度 18.415 mm 18.415 mm 22.415 mm 22.415 mm 22.415 mm 18.415 mm
内存密度 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit 4194304 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM NON-VOLATILE SRAM
内存宽度 16 16 8 8 8 16
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 44 44 54 54 54 44
字数 262144 words 262144 words 524288 words 524288 words 524288 words 262144 words
字数代码 256000 256000 512000 512000 512000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 70 °C 85 °C 85 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C - -40 °C -40 °C -
组织 256KX16 256KX16 512KX8 512KX8 512KX8 256KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2 TSOP2
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.194 mm 1.194 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm 1.194 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V 3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm 10.16 mm
厂商名称 Cypress(赛普拉斯) - Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯) Cypress(赛普拉斯)

 
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