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IDT7MB6064S12K

产品描述Cache SRAM Module, 8KX60, 45ns, CMOS
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文件大小175KB,共7页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MB6064S12K概述

Cache SRAM Module, 8KX60, 45ns, CMOS

IDT7MB6064S12K规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
其他特性ADDRESS LATCH; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
最大时钟频率 (fCLK)12 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XQMA-P132
JESD-609代码e0
内存密度491520 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM MODULE
内存宽度60
功能数量1
端子数量132
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织8KX60
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码QIP
封装等效代码QI132,2.1/2.3,100
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.45 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率3.85 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子节距2.54 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

IDT7MB6064S12K相似产品对比

IDT7MB6064S12K IDT7MB6064S33K IDT7MB6064S25K IDT7MB6064S20K IDT7MB6064S16K
描述 Cache SRAM Module, 8KX60, 45ns, CMOS Cache SRAM Module, 8KX60, 20ns, CMOS Cache SRAM Module, 8KX60, 25ns, CMOS Cache SRAM Module, 8KX60, 30ns, CMOS Cache SRAM Module, 8KX60, 35ns, CMOS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 3A991.B.2.B EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 45 ns 20 ns 25 ns 30 ns 35 ns
其他特性 ADDRESS LATCH; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS ADDRESS LATCH; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS ADDRESS LATCH; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS ADDRESS LATCH; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS ADDRESS LATCH; TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
最大时钟频率 (fCLK) 12 MHz 33.7 MHz 25.7 MHz 20.7 MHz 16.7 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-XQMA-P132 R-XQMA-P132 R-XQMA-P132 R-XQMA-P132 R-XQMA-P132
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 491520 bit 491520 bit 491520 bit 491520 bit 491520 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE CACHE SRAM MODULE
内存宽度 60 60 60 60 60
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 132 132 132 132 132
字数 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8KX60 8KX60 8KX60 8KX60 8KX60
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 QIP QIP QIP QIP QIP
封装等效代码 QI132,2.1/2.3,100 QI132,2.1/2.3,100 QI132,2.1/2.3,100 QI132,2.1/2.3,100 QI132,2.1/2.3,100
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.45 A 0.96 A 0.6 A 0.45 A 0.45 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 3.85 mA 4.9 mA 4.675 mA 4.15 mA 3.9 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)

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