IDT70V05L25F概述

Multi-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQFP68, QFP-68

IDT70V05L25F规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	QFP-68
针数	68
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	S-CQFP-F68
JESD-609代码	e0
长度	24.0792 mm
内存密度	65536 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	68
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	8KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFF
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.683 mm
最小待机电流	2 V
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	24.0792 mm

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IDT70V05L25F相似产品对比

	IDT70V05L25F	IDT70V05L55F	IDT70V05S55F	IDT70V05S25F	IDT70V05L35F	IDT70V05S35F
描述	Multi-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQFP68, QFP-68	Multi-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQFP68, QFP-68	Multi-Port SRAM, 8KX8, 55ns, CMOS, CQFP68, QFP-68	Multi-Port SRAM, 8KX8, 25ns, CMOS, CQFP68, QFP-68	Multi-Port SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, QFP-68	Multi-Port SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQFP68, QFP-68
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	QFP-68	QFF,	QFF,	QFF,	QFF,	QFP-68
针数	68	68	68	68	68	68
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	55 ns	55 ns	25 ns	35 ns	35 ns
其他特性	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN
JESD-30 代码	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68	S-CQFP-F68
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM	MULTI-PORT SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2
端子数量	68	68	68	68	68	68
字数	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF	QFF
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	225	225	225	225
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm	3.683 mm
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT	FLAT
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30
宽度	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm	24.0792 mm

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