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HERAF806GR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 600V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共2页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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HERAF806GR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 600V V(RRM),

HERAF806GR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向恢复时间0.08 µs
表面贴装NO

HERAF806GR相似产品对比

HERAF806GR HERAF805GR HERAF803GR HERAF802GR
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 600V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 400V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 8A, 100V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.7 V 1.3 V 1 V 1 V
湿度敏感等级 1 1 1 1
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A
元件数量 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 8 A 8 A 8 A 8 A
最大重复峰值反向电压 600 V 400 V 200 V 100 V
最大反向恢复时间 0.08 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs
表面贴装 NO NO NO NO
厂商名称 Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor

 
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