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CAT25640LE-G

产品描述8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
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文件大小307KB,共20页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
标准
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CAT25640LE-G概述

8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8

8K × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

CAT25640LE-G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
制造商包装代码CASE 646AA-01
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK)5 MHz
数据保留时间-最小值100
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e4
长度9.27 mm
内存密度65536 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数8192 words
字数代码8000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.33 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.000002 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

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CAT25640
EEPROM Serial 64-Kb SPI
Description
The CAT25640 is a EEPROM Serial 64−Kb SPI device internally
organized as 8Kx8 bits. This features a 64−byte page write buffer and
supports the Serial Peripheral Interface (SPI) protocol. The device is
enabled through a Chip Select (CS) input. In addition, the required bus
signals are clock input (SCK), data input (SI) and data output (SO)
lines. The HOLD input may be used to pause any serial
communication with the CAT25640 device. The device features
software and hardware write protection, including partial as well as
full array protection.
Features
www.onsemi.com
SOIC−8
V SUFFIX
CASE 751BD
UDFN−8
HU4 SUFFIX
CASE 517AZ
TSSOP−8
Y SUFFIX
CASE 948AL
20 MHz (5 V) SPI Compatible
1.8 V to 5.5 V Supply Voltage Range
SPI Modes (0,0) & (1,1)
64−byte Page Write Buffer
Self−timed Write Cycle
Hardware and Software Protection
Block Write Protection
Protect
1
/
4
,
1
/
2
or Entire EEPROM Array
Low Power CMOS Technology
1,000,000 Program/Erase Cycles
100 Year Data Retention
Industrial and Extended Temperature Range
SOIC, TSSOP 8−lead and UDFN 8−pad Packages
This Device is Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS
Compliant
V
CC
PIN CONFIGURATION
CS
SO
WP
V
SS
1
V
CC
HOLD
SCK
SI
SOIC (V), TSSOP (Y), UDFN (HU4)
PIN FUNCTION
Pin Name
CS
SO
WP
V
SS
SI
SCK
Function
Chip Select
Serial Data Output
Write Protect
Ground
Serial Data Input
Serial Clock
Hold Transmission Input
Power Supply
SI
CS
WP
HOLD
SCK
CAT25640
SO
HOLD
V
CC
ORDERING INFORMATION
V
SS
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 13 of this data sheet.
Figure 1. Functional Symbol
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
June, 2018
Rev. 11
1
Publication Order Number:
CAT25640/D

CAT25640LE-G相似产品对比

CAT25640LE-G CAT25640HU3IGT3E CAT25640HU4E-GT3
描述 8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 8K X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
内存宽度 8 8 8
功能数量 1 1 1
端子数量 8 8 8
组织 8KX8 8K X 8 8KX8
表面贴装 NO Yes YES
温度等级 AUTOMOTIVE INDUSTRIAL AUTOMOTIVE
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
是否无铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 - 符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) - ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 DIP - SON
包装说明 DIP, DIP8,.3 - HVSON, SOLCC8,.11,20
针数 8 - 8
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 100 YEAR DATA RETENTION - 100 YEAR DATA RETENTION
最大时钟频率 (fCLK) 5 MHz - 10 MHz
数据保留时间-最小值 100 - 100
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles - 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 - R-PDSO-N8
JESD-609代码 e4 - e4
长度 9.27 mm - 3 mm
内存密度 65536 bi - 65536 bi
内存集成电路类型 EEPROM - EEPROM
字数 8192 words - 8192 words
字数代码 8000 - 8000
工作模式 SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C - 125 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP - HVSON
封装等效代码 DIP8,.3 - SOLCC8,.11,20
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL - SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
电源 3/5 V - 3/5 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
座面最大高度 5.33 mm - 0.55 mm
串行总线类型 SPI - SPI
最大待机电流 0.000002 A - 0.000002 A
最大压摆率 0.003 mA - 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V - 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 2.5 V - 2.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V
技术 CMOS - CMOS
端子面层 Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) - Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子节距 2.54 mm - 0.5 mm
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm - 2 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms - 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE - HARDWARE/SOFTWARE

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