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M28V101AP

产品描述128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
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文件大小83KB,共2页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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M28V101AP概述

128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32

M28V101AP规格参数

参数名称属性值
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码DIP
包装说明PLASTIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
JESD-30 代码R-PDIP-T32
长度41.91 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压12 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
类型NOR TYPE
宽度15.24 mm

M28V101AP相似产品对比

M28V101AP M28V101AN M28F101AK M28V101AK M28F101AN M28F101AP
描述 128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 150ns, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP-32 128KX8 FLASH 12V PROM, 60ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32
零件包装代码 DIP TSOP QFJ QFJ TSOP DIP
包装说明 PLASTIC, DIP-32 8 X 20 MM, TSOP-32 PLASTIC, LCC-32 PLASTIC, LCC-32 8 X 20 MM, TSOP-32 PLASTIC, DIP-32
针数 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 150 ns 150 ns 60 ns 150 ns 60 ns 60 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDSO-G32 R-PQCC-J32 R-PQCC-J32 R-PDSO-G32 R-PDIP-T32
长度 41.91 mm 18.4 mm 13.995 mm 13.995 mm 18.4 mm 41.91 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP TSOP1 QCCJ QCCJ TSOP1 DIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE CHIP CARRIER CHIP CARRIER SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
编程电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 1.2 mm 3.56 mm 3.56 mm 1.2 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 5.5 V 3.6 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 4.5 V 3 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 5 V 3.3 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES YES YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING J BEND J BEND GULL WING THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 0.5 mm 1.27 mm 1.27 mm 0.5 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL QUAD QUAD DUAL DUAL
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
宽度 15.24 mm 8 mm 11.455 mm 11.455 mm 8 mm 15.24 mm
厂商名称 ST(意法半导体) - ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体) ST(意法半导体)

 
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