FIFO, 4KX9, 30ns, Synchronous, CMOS, CDFP32, CERAMIC, QFP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Honeywell |
| 包装说明 | DFP, FL32,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 30 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 29.4 MHz |
| 周期时间 | 34 ns |
| JESD-30 代码 | R-CDFP-F32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 20.828 mm |
| 内存密度 | 36864 bit |
| 内存集成电路类型 | OTHER FIFO |
| 内存宽度 | 9 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 4096 words |
| 字数代码 | 4000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 4KX9 |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DFP |
| 封装等效代码 | FL32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535V;38534K;883S |
| 座面最大高度 | 3.81 mm |
| 最大待机电流 | 0.0005 A |
| 最大压摆率 | 0.5 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
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